芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

VS-KBPC601

Vishay Semiconductors · 封装：D-72

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 137 A，采用 D-72 封装。

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VS-KBPC6005

Vishay Semiconductors · 封装：D-72

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 137 A，采用 D-72 封装。

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VS-KBPC604

Vishay Semiconductors · 封装：D-72

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 137 A，采用 D-72 封装。

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VS-KBPC804

Vishay Semiconductors · 封装：D-72

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 137 A，采用 D-72 封装。

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VS-KBPC608

Vishay Semiconductors · 封装：D-72

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 137 A，采用 D-72 封装。

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VS-KBPC802

Vishay Semiconductors · 封装：D-72

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 137 A，采用 D-72 封装。

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GBJ2008-F

Diodes Incorporated · 封装：GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBJ 封装。

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GBJ2006-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A，采用 GBJ-4 封装。

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GBJ10005-F

Diodes Incorporated · 封装：GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。

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LN4SB60-7000

Shindengen · 封装：3S

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 150 A、最大工作温度 + 150 C，采用 3S 封装。

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GBPC3501-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBPC-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-4 封装。

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VUE75-12NO7

IXYS · 封装：ECO-PAC 1

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 2.71 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 40 C，采用 ECO-PAC 1 封装。

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VUO22-18NO1

IXYS · 封装：V1-A-Pack

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1800 V、正向电压（Vf） 1.12 V、最大浪涌电流 100 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 130 C，采用 V1-A-Pack 封装。

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GBJ15005-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBJ 封装。

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D10XB60H-7000

Shindengen · 封装：3S

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 2.9 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 170 A，采用 3S 封装。

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GBJ608-F

Diodes Incorporated · 封装：GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。

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GBJ25005-F

Diodes Incorporated · 封装：GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。

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GBJ15005-F

Diodes Incorporated · 封装：GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。

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GBJ1008-F

Diodes Incorporated · 封装：GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。

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GBJ2004-F

Diodes Incorporated · 封装：GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBJ 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。