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TS6B01GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4B-4 封装。
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TS6B07GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4B-4 封装。
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TS10B03GHC2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4B-4 封装。
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TS10B01GHC2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4B-4 封装。
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TS10B07GHC2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4B-4 封装。
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TS6B01G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4B-4 封装。
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TS6B07G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4B-4 封装。
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TS6B06G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4B-4 封装。
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TS10B04GHC2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4B-4 封装。
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TS6B03G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4B-4 封装。
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TS6B04G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4B-4 封装。
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TS4B03GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 120 A，采用 TS4B-4 封装。
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TS4B07G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 120 A，采用 TS4B-4 封装。
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TS4B01GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 120 A，采用 TS4B-4 封装。
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TS4B04GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 120 A，采用 TS4B-4 封装。
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