芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

GBPC40005M T0

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 40A, 50V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC2504 T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。

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GBPC3504W T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 35A, 400V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, WIRE

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GBPC3501W T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。

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GBPC3501 T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。

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GBPC3502W T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。

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GBPC35005M T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 35A, 50V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC3502 T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。

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GBPC3504 T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 35A, 400V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC35005 T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。

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GBPC3506 T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。

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GBPC2504W T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。

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GBPC1506W T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 11.23 mm

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 29 mm x 29 mm x 11.23 mm 封装。

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TS6B02G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4B-4 封装。

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TS6B03G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。

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TS10B02GHC2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4B-4 封装。

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TS6B04GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4B-4 封装。

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TS6B02GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

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TS10B05GHC2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4B-4 封装。

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TS6B03GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4B-4 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。