芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

GBPC2506 T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。

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GBPC3506M T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-M-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-M-4 封装。

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GBPC1502 T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。

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GBPC2510 T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 25A, 1000V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC4008 T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 40A, 800V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC1501M T0

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 15A, 100V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC3504M T0

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 35A, 400V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC3508M T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-M-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-M-4 封装。

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GBPC3502M T0

Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 11.23 mm

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 29 mm x 29 mm x 11.23 mm 封装。

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GBPC1510M T0

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 15A, 1000V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC3510M T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-M-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-M-4 封装。

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GBPC2504M T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-M-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-M-4 封装。

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GBPC2510M T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-M-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-M-4 封装。

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GBPC1508M T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-M-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-M-4 封装。

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GBPC3508 T0

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 35A, 800V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC50005M T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 50A, 50V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC5006 T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40 封装。

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GBPC25005M T0

Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 11.23 mm

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 29 mm x 29 mm x 11.23 mm 封装。

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GBPC25005 T0

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 25A, 50V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC1502M T0

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 15A, 200V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。