TS6P01GHD2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录TS6P02GHD2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS6P03GHD2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS6P06GHD2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS6P07GHD2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS8P01G C2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。GBU1002HD2
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A，采用 GBU-4 封装。GBU1003HD2
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A，采用 GBU-4 封装。TS6P06G C2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS-6P-4 封装。GBU803 D2G
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。GBU1003 D2
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A，采用 GBU-4 封装。GBU803HD2G
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。GBU801HD2G
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。GBU807HC2G
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。KBU407G T0G
Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 KBU-4 封装。GBPC1501W T0G
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 15A, 100V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, WIREGBPC5002 T0G
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 50A, 200V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTONTS6B06G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS6B04G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS6B07G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。