芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

TS4K40-A D3G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A，采用 TS4K-4 封装。

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TS4K60-A D3G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A，采用 TS4K-4 封装。

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TS6K60HD3

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4K-4 封装。

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TS10K80HD3

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4K-4 封装。

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GBU402HD2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 280 A，采用 GBU-4 封装。

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TS10K80 D3

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

采用 TS4K-4 封装。

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TS6K60 D3

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

采用 TS4K-4 封装。

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GBU401HD2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 280 A，采用 GBU-4 封装。

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GBLA01 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。

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GBLA04 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。

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GBLA005 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。

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GBLA06 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。

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GBLA08 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。

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GBLA02 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。

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GBU803 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBU-4 封装。

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GBLA10 C2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。

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GBU403HD2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 280 A，采用 GBU-4 封装。

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GBL005 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。

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GBU402 C2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。

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GBU401 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。