GBL205HD2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录D2SB10 D2
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 1.5A, 100V, GLASS PASSIVATED IN LINE BRIDGE IFSM 80AD2SB40 D2
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 1.5A, 400V, GLASS PASSIVATED IN LINE BRIDGE IFSM 80AD2SB20 D2
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 1.5A, 200V, GLASS PASSIVATED IN LINE BRIDGE IFSM 80AD2SB20HD2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。D2SB40HD2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。D2SB05HD2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。D2SB10HD2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DBLS101GHRDG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DBLS106GHRDG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。GBL207 C2
Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 60 A，采用 GBL-4 封装。DBLS103GHRDG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DBLS105GHRDG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。GBL206 C2
Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 60 A，采用 GBL-4 封装。DBLS104GHRDG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DBLS107GHRDG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。UR4KB60-B C2
Taiwan Semiconductor · 封装：D3K-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 135 A，采用 D3K-4 封装。UR4KB80-B C2G
Taiwan Semiconductor · 封装：D3K-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 135 A，采用 D3K-4 封装。DBLS101G RDG
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 1A,50V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.GBL207 C2G
Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。