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分立与功率器件

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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

RABS15M RGG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-L-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 50 A，采用 ABS-L-4 封装。
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MBS4HRCG

Taiwan Semiconductor · 封装：MBS

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 MBS 封装。
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MBS8HRCG

Taiwan Semiconductor · 封装：MBS

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 MBS 封装。
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RMB4SHRC

Taiwan Semiconductor · 封装：TO-269AA-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-269AA-4 封装。
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DBLS101G RD

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。
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D2SB10 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 80 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。
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D2SC25 C2

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 50 V、最大浪涌电流 80 A、反向电压（Vr） 50 V、单件重量 0.070548 oz。
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GBL201HD2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 60 A，采用 GBL-4 封装。
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GBL201 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 60 A，采用 GBL-4 封装。
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GBL206HD2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 60 A，采用 GBL-4 封装。
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GBL204 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 60 A，采用 GBL-4 封装。
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