芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

GBPC3506W T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 35A, 600V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, WIRE

查看资料询价

GBPC3508W T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 11.23 mm

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 29 mm x 29 mm x 11.23 mm 封装。

查看资料询价

GBPC35005W T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 35A, 50V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, WIRE

查看资料询价

GBPC3504M T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 35A, 400V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

查看资料询价

GBPC3508M T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 35A, 800V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

查看资料询价

GBPC3510 T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。

查看资料询价

GBPC3508 T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。

查看资料询价

GBPC3510M T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。

查看资料询价

GBPC3502M T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 35A, 200V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

查看资料询价

GBPC3501M T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 35A, 100V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

查看资料询价

GBPC3506M T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 35A, 600V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

查看资料询价

GBPC2501W T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 25A, 100V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, WIRE

查看资料询价

GBPC25005W T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 25A, 50V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, WIRE

查看资料询价

GBPC1501 T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 15A, 100V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

查看资料询价

GBPC25005M T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 25A, 50V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

查看资料询价

GBPC15005M T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。

查看资料询价

GBPC2502W T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。

查看资料询价

GBPC15005 T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。

查看资料询价

GBPC1502M T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 15A, 200V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

查看资料询价

ABS4HRGG

Taiwan Semiconductor

主要参数包括认证等级 AEC-Q101。

查看资料询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。