芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

TS10K60HD3

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4K-4 封装。

查看资料询价

GBPC15005 T0

Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 11.23 mm

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 29 mm x 29 mm x 11.23 mm 封装。

查看资料询价

GBPC2506M T0

Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 11.23 mm

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 29 mm x 29 mm x 11.23 mm 封装。

查看资料询价

GBPC15005M T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-M-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-M-4 封装。

查看资料询价

KBU406G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 KBU-4 封装。

查看资料询价

GBPC1504 T0

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 15A, 400V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

查看资料询价

GBPC2502M T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-M-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-M-4 封装。

查看资料询价

GBPC4006M T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 40A, 600V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

查看资料询价

GBU1005 C2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。

查看资料询价

GBU1001 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 220 A，采用 GBU-4 封装。

查看资料询价

GBPC40005 T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。

查看资料询价

GBPC4004M T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40 封装。

查看资料询价

GBU1004 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A，采用 GBU-4 封装。

查看资料询价

GBPC4002M T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40 封装。

查看资料询价

KBU801G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 KBU-4 封装。

查看资料询价

GBPC4001M T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40 封装。

查看资料询价

GBPC4002 T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40 封装。

查看资料询价

GBPC4006 T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40 封装。

查看资料询价

GBPC4001 T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。

查看资料询价

GBPC3510W T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。

查看资料询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。