芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

GBPC4002 T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40-4 封装。

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GBPC50005M T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40-M-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40-M-4 封装。

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GBPC4006M T0

Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 7.87 mm

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 29 mm x 29 mm x 7.87 mm 封装。

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GBPC1504 T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 15A, 400V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC4006 T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40-4 封装。

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GBPC3501W T0

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 35A, 100V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, WIRE

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GBPC5004M T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40 封装。

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GBPC5006M T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40 封装。

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GBPC5001M T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 50A, 100V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC50005 T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 50A, 50V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC5001 T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40 封装。

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GBPC5002M T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40 封装。

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GBPC4002M T0

Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 7.87 mm

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 29 mm x 29 mm x 7.87 mm 封装。

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GBPC4008M T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40 封装。

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GBPC4010M T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 40A, 1000V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC4010 T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40 封装。

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GBPC2501M T0

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 25A, 100V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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KBU601G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 KBU-4 封装。

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KBU602G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 KBU-4 封装。

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GBPC1510W T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-W-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W-4 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。