芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

GBU1001 D2

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 10A, 50V, G.P., INLINE BRIDGE RECTIFIER

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GBL08 C2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。

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GBU405HD2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。

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GBU1007 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A，采用 GBU-4 封装。

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GBU805HD2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。

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GBU1005 D2

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 10A, 600V, G.P., INLINE BRIDGE RECTIFIER

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GBU404HD2

Taiwan Semiconductor

主要参数包括认证等级 AEC-Q101。

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GBU404 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。

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TS6K40 D3

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

采用 TS4K-4 封装。

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GBU402 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。

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GBPC35005 T0

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 35A, 50V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC40005M T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。

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GBPC3506W T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-W-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W-4 封装。

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GBPC1508M T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 11.23 mm

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 29 mm x 29 mm x 11.23 mm 封装。

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GBPC2508M T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 25A, 800V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC1504M T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。

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GBPC25005 T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 25A, 50V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC2510M T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 25A, 1000V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC1506M T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。

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KBU1003G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 KBU-4 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。