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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

GBL204 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。
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DBLS102G RDG

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 1A,100V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
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TS4K60HD3

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 120 A，采用 TS4K-4 封装。
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GBU401 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 280 A，采用 GBU-4 封装。
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GBU402 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBU-4 封装。
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GBLA10HD2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A，采用 GBL-4 封装。
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GBLA005 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A，采用 GBL-4 封装。
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D2SB60 C2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 80 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。
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GBU403 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
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GBU404 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。
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GBU607HD2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。
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GBU604HD2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。
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GBL04HD2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBL-4 封装。
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TS10K40HD3

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4K-4 封装。
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GBU806HD2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
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TS10K80 D3G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4K-4 封装。
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GBU802HD2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
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GBU402HD2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
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