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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

GBU1007HD2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A，采用 GBU-4 封装。
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GBU1004HD2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A，采用 GBU-4 封装。
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ABS6HREG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 0.4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。
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MBS10HRCG

Taiwan Semiconductor · 封装：MBS

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A、最小工作温度 - 55 C，采用 MBS 封装。
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ABS20MHREG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.92 V、最大浪涌电流 110 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。
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D2SB05 D2

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 1.5A, 50V, GLASS PASSIVATED IN LINE BRIDGE IFSM 80A
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RMB4SHRCG

Taiwan Semiconductor · 封装：TO-269AA-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-269AA-4 封装。
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UR4KB100-B C2

Taiwan Semiconductor · 封装：D3K-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 135 A，采用 D3K-4 封装。
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GBL202 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 60 A，采用 GBL-4 封装。
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GBL201 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 60 A，采用 GBL-4 封装。
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