芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

GBPC1506M T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-M-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-M-4 封装。

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GBPC2501W T0

Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 11.23 mm

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 29 mm x 29 mm x 11.23 mm 封装。

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GBPC2508M T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-M-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-M-4 封装。

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GBPC2501 T0

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 25A, 100V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC1502 T0

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 15A, 200V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC1504M T0

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 15A, 400V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC4004 T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 40A, 400V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON

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GBPC1508W T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。

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GBPC2506W T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 11.23 mm

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 29 mm x 29 mm x 11.23 mm 封装。

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GBPC4001M T0

Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 7.87 mm

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 29 mm x 29 mm x 7.87 mm 封装。

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GBPC2510W T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。

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TS6P05G D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。

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KBU802G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 KBU-4 封装。

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GBU1002 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A，采用 GBU-4 封装。

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GBU1006 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。

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GBL01 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。

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GBL04 C2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。

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GBU407HD2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 280 A，采用 GBU-4 封装。

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TSS4B04G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-4B-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-4B-4 封装。

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GBU605HD2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。