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GBPC2501M T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 11.23 mm

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 29 mm x 29 mm x 11.23 mm 封装。
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GBPC2502M T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。
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GBPC2502 T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 25A, 200V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
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GBPC1501M T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 15A, 100V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
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GBPC2504M T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 25A, 400V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
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KBU1002G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 KBU-4 封装。
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TS25P06G D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。
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KBU1001G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 KBU-4 封装。
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GBPC5006M T0

Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 7.87 mm

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 29 mm x 29 mm x 7.87 mm 封装。
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GBPC5004M T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40-M-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40-M-4 封装。
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GBPC50005 T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40-4 封装。
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GBPC4010M T0

Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 7.87 mm

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 29 mm x 29 mm x 7.87 mm 封装。
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GBPC4004M T0

Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 7.87 mm

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 29 mm x 29 mm x 7.87 mm 封装。
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GBPC5008M T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 50A, 800V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
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GBPC3501M T0

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 35A, 100V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
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GBPC2508 T0

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 25A, 800V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
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GBPC5010M T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40 封装。
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GBPC25005W T0

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 25A, 50V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, WIRE
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GBPC15005W T0

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 15A, 50V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, WIRE
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