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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

GBL205 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。
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UR2KB80 C2G

Taiwan Semiconductor · 封装：D3K-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 62 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D3K-4 封装。
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UR4KB80-B C2

Taiwan Semiconductor · 封装：D3K-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 135 A，采用 D3K-4 封装。
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GBLA10 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A，采用 GBL-4 封装。
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GBLA04 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A，采用 GBL-4 封装。
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GBLA06 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A，采用 GBL-4 封装。
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TS4K60HD3G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4K-4 封装。
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HDBLS103G RDG

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。
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GBU602HD2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。
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GBU601HD2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。
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GBL02 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。
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GBL10 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。
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GBU606HD2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。
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GBU806HD2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。
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GBU603 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBU-4 封装。
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TS4K60 D3G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4K-4 封装。
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GBU801 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。
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GBU804 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。
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