ChipSourceHub 美芯科技
English发起询盘

分立与功率器件

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

GBU603 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。
查看资料 询价

GBU606 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
查看资料 询价

TS10K80-A D3

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4K-4 封装。
查看资料 询价

GBU1003 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
查看资料 询价

GBU607 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
查看资料 询价

GBU807HD2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。
查看资料 询价

GBPC5010 T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 50A, 1000V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
查看资料 询价

GBPC1501W T0

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 15A, 100V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, WIRE
查看资料 询价

GBPC5008 T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40 封装。
查看资料 询价

GBPC1508 T0

Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 11.23 mm

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 29 mm x 29 mm x 11.23 mm 封装。
查看资料 询价

ABS2 RGG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A，采用 ABS-4 封装。
查看资料 询价

ABS6 RGG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A，采用 ABS-4 封装。
查看资料 询价

ABS4 RGG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A，采用 ABS-4 封装。
查看资料 询价

D2SB80 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 80 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。
查看资料 询价

RMB6SHRC

Taiwan Semiconductor · 封装：TO-269AA-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-269AA-4 封装。
查看资料 询价

UR2KB100 C2G

Taiwan Semiconductor · 封装：D3K-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 62 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D3K-4 封装。
查看资料 询价

DBLS107G RDG

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 1A,1000V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
查看资料 询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库｜技术参数与数据手册｜ChipSourceHub 美芯科技