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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

GBU801 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
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UR2KB60 C2G

Taiwan Semiconductor · 封装：D3K-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 62 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D3K-4 封装。
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GBU603HD2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。
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RMB6SHRCG

Taiwan Semiconductor · 封装：TO-269AA-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-269AA-4 封装。
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ABS8HREG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 0.4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。
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MBS6HRCG

Taiwan Semiconductor · 封装：MBS

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 MBS 封装。
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YBS3004G RAG

Taiwan Semiconductor · 封装：YBS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 0.93 V、最大浪涌电流 220 A，采用 YBS-4 封装。
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YBS3006G RAG

Taiwan Semiconductor · 封装：YBS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 0.93 V、最大浪涌电流 220 A，采用 YBS-4 封装。
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GBPC1510M T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 15A, 1000V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
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TS20P05G D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。
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KBU803G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU-4 封装。
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D2SB80 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 80 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。
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GBU807 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
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GBU805 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
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GBU602 C2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
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