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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

GBPC1510 T0

Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 11.23 mm

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 29 mm x 29 mm x 11.23 mm 封装。
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ABS6 REG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 0.4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。
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ABS10HREG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 0.4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。
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TS50P07G D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS6P-4 封装。
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GBU2505 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.08 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBU-4 封装。
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UR4KB60-B C2G

Taiwan Semiconductor · 封装：D3K-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 135 A，采用 D3K-4 封装。
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GBPC1501 T0

Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 11.23 mm

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 29 mm x 29 mm x 11.23 mm 封装。
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TS15P06G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。
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GBPC1510W T0G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC 封装。
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GBU406 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
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UR4KB80 C2G

Taiwan Semiconductor · 封装：D3K-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 135 A，采用 D3K-4 封装。
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DBLS102G RD

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。
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KBU607G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU-4 封装。
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TS25P05G D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。
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GBPC2506M T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 25A, 600V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
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GBPC1504W T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-W-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W-4 封装。
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GBPC1510 T0G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 15A, 1000V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
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TS10K60 D3G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4K-4 封装。
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