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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

GBL04 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBL-4 封装。
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KBP304

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 400 V，采用 KBP-4 封装。
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GBP310

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 1000 V，采用 GBP-4 封装。
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DBLS207G RDG

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 2A,1000V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
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GBPC2510T

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBPC-TW-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBPC-TW-4 封装。
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GBJ15K

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 250 A，采用 GBJ-4 封装。
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KBU410

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V，采用 KBU-4 封装。
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MBS2HRCG

Taiwan Semiconductor · 封装：MBS

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 MBS 封装。
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TSS4B03G D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 0.98 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4B-4 封装。
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CBR10-J060

Central Semiconductor · 封装：CASE CM

主要参数包括正向电流（If） 5 A、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 150 A、反向电流（Ir） 10 uA、反向电压（Vr） 600 V、型号别名 CBR10-J060 PBFREE，采用 CASE CM 封装。
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GBU605 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
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YBS3007G RAG

Taiwan Semiconductor · 封装：YBS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.93 V、最大浪涌电流 220 A，采用 YBS-4 封装。
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TS10P05G D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。
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RABS15M REG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-L-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-L-4 封装。
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ABS20M REG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.92 V、最大浪涌电流 110 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。
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ABS8 REG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 0.4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。
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GBU1005 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
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