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199,570 条型号记录
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TS6P05GHC2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。
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GBU804 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
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D2SB20 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 80 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。
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D2SB80 C2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 80 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。
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GBL204 C2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。
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KBU1504

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 400 V，采用 KBU-4 封装。
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TSS4B03G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-4B-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-4B-4 封装。
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TS4K80 D3G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4K-4 封装。
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TS50P06GHD2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS6P-4 封装。
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TS6P04GHD2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。
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UR4KB100-B C2G

Taiwan Semiconductor · 封装：D3K-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 135 A，采用 D3K-4 封装。
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GBL207 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。
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GBP306

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 600 V，采用 GBP-4 封装。
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ABS15M REG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、最大浪涌电流 40 A、长度 4.1 mm，采用 ABS 封装。
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KBU404

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V，采用 KBU-4 封装。
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TS10P05G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。
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GBP208

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V，采用 GBP-4 封装。
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