TS6K80 D3G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4K-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录TS8P05G C2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。GBU607HD2G
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。TS8P07G C2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。GBL10 C2G
Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。GBU803 D2
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。GBL204 C2
Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 60 A，采用 GBL-4 封装。KBJ401G
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJ 封装。GBU805HD2G
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。GBL206
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V，采用 GBL-4 封装。GBU601 D2
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 GBU-4 封装。KBU1006G T0
Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 KBU-4 封装。GBU804HD2G
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。GBU25M
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1000 V，采用 GBU-4 封装。TS8P05G D2G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS6P07G D2G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS8P05G D2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。KBJ1010
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V，采用 KBJ-4 封装。GBP206
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V，采用 GBP-4 封装。KBJ606
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2.8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJ-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。