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199,570 条型号记录
每页 20 条

KBJ404G

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJ 封装。
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KBJ402G

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJ 封装。
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KBJ608

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2.8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJ-4 封装。
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BR38

GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-3

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-3 封装。
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GBJ15J

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 250 A，采用 GBJ-4 封装。
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DBLS157G RD

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。
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GBU802 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
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KBU402

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V，采用 KBU-4 封装。
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TS25P07G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。
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TS10K80HD3G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4K-4 封装。
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GBPC1508W T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-W-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W-4 封装。
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GBP210

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V，采用 GBP-4 封装。
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KBJ610

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2.8 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJ-4 封装。
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GBU401 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。
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KBU1002

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU 封装。
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