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型号列表

199,570 条型号记录
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GBU4D

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
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GBU8M

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
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GBU6J

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
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GBU6M

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
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GBU6K

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
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GBU8K

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
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GBU4J

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
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GBU4B

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
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GBU4K

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
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GBU4M

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
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BR610

GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-6

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 125 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-6 封装。
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KBP310

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 1000 V，采用 KBP-4 封装。
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KBP306

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 600 V，采用 KBP-4 封装。
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GBU6A

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
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KBJ1006

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 600 V，采用 KBJ-4 封装。
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BR81

GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-8

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 125 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-8 封装。
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BR32

GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-3

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-3 封装。
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