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分立与功率器件

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GBL04

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBL

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。
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BR102

GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-10

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-10 封装。
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GBPC1510W

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBPC-TW-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBPC-TW-4 封装。
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BR66

GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-6

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 125 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-6 封装。
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D2SB80

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 80 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。
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BR1005

GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-10

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-10 封装。
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GBJ2504-03-G

Comchip Technology · 封装：$1.11

主要参数包括单件重量 0.240216 oz，采用 $1.11 封装。
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GBPC1510W-G

Comchip Technology · 封装：GBPC-W

主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.607065 oz，采用 GBPC-W 封装。
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KBU2502-G

Comchip Technology · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 KBU-4 封装。
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KBU3502-G

Comchip Technology · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 KBU-4 封装。
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GBU6B

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
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BR34

GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-3

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-3 封装。
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