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分立与功率器件

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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

BR805

GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-8

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 125 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-8 封装。
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BR84

GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-8

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 125 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-8 封装。
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KBP2005G

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 60 A，采用 KBP-4 封装。
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KBU1510

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1000 V，采用 KBU-4 封装。
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GBU8A

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
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KBJ408G

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJ 封装。
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GBP408

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V，采用 GBP-4 封装。
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BR310

GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-3

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-3 封装。
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GBU6G

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
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BR605

GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-6

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 125 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-6 封装。
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GBL10

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBL

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。
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