VUO50-18NO3
IXYS · 封装：FO-F-B
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、峰值反向电压 1800 V、正向电压（Vf） 1.9 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 40 C，采用 FO-F-B 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录VBO30-18NO7
IXYS · 封装：PWS-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1800 V、正向电压（Vf） 2.2 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-A 封装。VUO34-12NO1
IXYS · 封装：V1-A-Pack
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.51 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 130 C，采用 V1-A-Pack 封装。VUO125-18NO7
IXYS · 封装：PWS-C
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1800 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 1800 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-C 封装。VUO105-18NO7
IXYS · 封装：PWS-C
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1800 V、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 1500 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-C 封装。VBO88-16NO7
IXYS · 封装：ECO-PAC 2
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.75 V、最大浪涌电流 1400 A、最小工作温度 - 40 C，采用 ECO-PAC 2 封装。VUO50-14NO3
IXYS · 封装：FO-F-B
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、峰值反向电压 1400 V、正向电压（Vf） 1.9 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 40 C，采用 FO-F-B 封装。VBO125-08NO7
IXYS · 封装：PWS-C
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw Terminal、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 1800 A、最小工作温度 - 40 C，采用 PWS-C 封装。VUO110-18NO7
IXYS · 封装：PWS-E-1
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1800 V、正向电压（Vf） 1.9 V、最大浪涌电流 1200 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-E-1 封装。VBO50-18NO7
IXYS · 封装：PWS-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1800 V、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 750 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-A 封装。VUO55-18NO7
IXYS · 封装：PWS-B
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1800 V、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 750 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-B 封装。GBJ2506-05-G
Comchip Technology
主要参数包括单件重量 0.240216 oz。KBU401
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V，采用 KBU-4 封装。GBPC1502W
GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200 V - 15 ABR31
GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-3
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-3 封装。GBU10M
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBJ25J
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A，采用 GBJ-4 封装。BR86
GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-8
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 125 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-8 封装。BR36
GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-3
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-3 封装。KBP308
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 800 V，采用 KBP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。