DMA40U1800GU
IXYS · 封装：GUFP-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1.9 kV、正向电压（Vf） 1.06 V、最大浪涌电流 370 A、最小工作温度 - 40 C，采用 GUFP-5 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录VBO30-08NO7
IXYS · 封装：PWS-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 2.2 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-A 封装。VBO78-08NO7
IXYS · 封装：ECO-PAC 2
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 750 A、最小工作温度 - 40 C，采用 ECO-PAC 2 封装。VS-36MT5
Vishay Semiconductors
Bridge Rectifiers Bridges - MT-e4DNA40U2200GU
IXYS · 封装：GUFP-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 2.3 kV、正向电压（Vf） 1.06 V、最大浪涌电流 370 A、最小工作温度 - 40 C，采用 GUFP-5 封装。VBO13-16NO2
IXYS · 封装：FO-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.8 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 40 C，采用 FO-A 封装。VUO25-14NO8
IXYS · 封装：FO-B-B
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1400 V、正向电压（Vf） 2.2 V、最大浪涌电流 380 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 FO-B-B 封装。VBO52-18NO7
IXYS · 封装：PWS-D
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1800 V、正向电压（Vf） 1.8 V、最大浪涌电流 550 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-D 封装。VUO80-18NO1
IXYS · 封装：V1-A-Pack
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1800 V、正向电压（Vf） 1.5 V、最大浪涌电流 600 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 V1-A-Pack 封装。VBO130-12NO7
IXYS · 封装：PWS-E-1
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.65 V、最大浪涌电流 1800 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-E-1 封装。MCMA265PD1600KB
IXYS
Bridge Rectifiers Thyristor/Diode ModuleMCNA120UI2200TED
IXYS · 封装：Rectifiers
采用 Rectifiers 封装。VS-130MT80KPBF
Vishay Semiconductors · 封装：INT-A-PAK
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.63 V、最大浪涌电流 1180 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 INT-A-PAK 封装。VBO160-16NO7
IXYS · 封装：PWS-E-1
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.43 V、最大浪涌电流 2800 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-E-1 封装。VS-110MT120KPBF
Vishay Semiconductors · 封装：INT-A-PAK
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw Terminal、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.4 V、最大浪涌电流 1000 A、最小工作温度 - 40 C，采用 INT-A-PAK 封装。VUO80-12NO1
IXYS · 封装：V1-A-Pack
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.5 V、最大浪涌电流 600 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 V1-A-Pack 封装。VS-40MT160KPBF
Vishay Semiconductors
Bridge Rectifiers Input Modules - MTKVUO52-14NO1
IXYS · 封装：V1-A-Pack
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1400 V、正向电压（Vf） 1.46 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 130 C，采用 V1-A-Pack 封装。VUO60-14NO3
IXYS · 封装：FO-F-B
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1400 V、正向电压（Vf） 1.9 V、最大浪涌电流 600 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 FO-F-B 封装。VS-130MT180C
Vishay Semiconductors
Bridge Rectifiers 3 Phase Bridge 130A 1800V 3600 Vrms型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。