芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

CDBHM180L-G

Comchip Technology · 封装：MBS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 80 V、正向电压（Vf） 0.85 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 MBS-4 封装。

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DF1506ST-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。

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DF208S-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。

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DF2005ST-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。

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DF201ST-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。

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AABS110-HF

Comchip Technology · 封装：ABS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。

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DF202-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。

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DF02S-HF

Comchip Technology

Bridge Rectifiers DIODE SMD DFS BRIDGE RECTIFIER 1A 200V

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DF02ST-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。

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TB2S-G

Comchip Technology · 封装：TBS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A，采用 TBS-4 封装。

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DB103S-G

Comchip Technology · 封装：DBS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DBS-4 封装。

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MB8S-G

Comchip Technology · 封装：MBS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 0.8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 MBS-4 封装。

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MB2S-G

Comchip Technology · 封装：MBS-2

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 0.8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 MBS-2 封装。

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VUB135-22NO1

IXYS · 封装：E2

主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、长度 107.5 mm、宽度 45 mm、高度 17 mm，采用 E2 封装。

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S3BR05

Semtech

主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V。

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SBR4

Semtech

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V。

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VUO125-14NO7

IXYS · 封装：PWS-C

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1400 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 1800 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-C 封装。

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VUO55-14NO7

IXYS · 封装：PWS-B

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1400 V、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 750 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-B 封装。

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VUO22-14NO1

IXYS · 封装：V1-A-Pack

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1400 V、正向电压（Vf） 1.12 V、最大浪涌电流 100 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 130 C，采用 V1-A-Pack 封装。

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CD-MBL206S

Bourns

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。