KBPC50005W-G
Comchip Technology · 封装：KBPC-W-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 500 A，采用 KBPC-W-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BR2510-G
Comchip Technology
Bridge Rectifiers DIODE RECT BRIDGE 20A 1000VBR35005-G
Comchip Technology
Bridge Rectifiers DIODE RECT BRIDGE 35A 50VGBPC1504W-G
Comchip Technology · 封装：GBPC-W
主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.607065 oz，采用 GBPC-W 封装。GBPC1506-G
Comchip Technology · 封装：GBPC-G
主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.590486 oz，采用 GBPC-G 封装。GBPC2501W-G
Comchip Technology · 封装：GBPC-W
主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.607065 oz，采用 GBPC-W 封装。GBPC1501W-G
Comchip Technology · 封装：GBPC-W
主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.607065 oz，采用 GBPC-W 封装。KBPC1008W-G
Comchip Technology
主要参数包括端接方式 通孔安装。GBPC25005-G
Comchip Technology · 封装：GBPC-G
主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.590486 oz，采用 GBPC-G 封装。GBJ2504-05-G
Comchip Technology
主要参数包括单件重量 0.240216 oz。GBJ2501-04-G
Comchip Technology
主要参数包括单件重量 0.240216 oz。GBLA02-E3/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBL
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。GBJ2501-06-G
Comchip Technology
主要参数包括单件重量 0.240216 oz。GBJ2508-06-G
Comchip Technology
主要参数包括单件重量 0.240216 oz。GBJ2501-05-G
Comchip Technology
主要参数包括单件重量 0.240216 oz。GBJ25005-05-G
Comchip Technology
主要参数包括单件重量 0.240216 oz。GBU2502-G
Comchip Technology · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 GBU-4 封装。GBU8005-G
Comchip Technology · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBU-4 封装。DB101SP-G
Comchip Technology
Bridge Rectifiers VR=50V, IO=1AKBP202G-G
Comchip Technology · 封装：$0.303
采用 $0.303 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。