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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

GBU4KL-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 0.9 V、最大浪涌电流 150 A,采用 GBU-4 封装。

DF1502S-G

Comchip Technology · 封装:DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 1.5 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 DFS-4 封装。

DF01ST-HF

Comchip Technology

Bridge Rectifiers DIODE SMD DFS BRIDGE RECTIFIER 1A 100V

DF005ST-HF

Comchip Technology

Bridge Rectifiers DIODE SMD DFS BRIDGE RECTIFIER 1A 50V

DF04ST-HF

Comchip Technology

Bridge Rectifiers DIODE SMD DFS BRIDGE RECTIFIER 1A 400V

VUO98-14NO7

IXYS · 封装:ECO-PAC 2

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1400 V、正向电压(Vf) 1.6 V、最大浪涌电流 750 A、最小工作温度 - 40 C,采用 ECO-PAC 2 封装。

VUO105-14NO7

IXYS · 封装:PWS-C

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1400 V、正向电压(Vf) 1.6 V、最大浪涌电流 1500 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C,采用 PWS-C 封装。

VS-26MT140

Vishay Semiconductors · 封装:D-34A

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1400 V、正向电压(Vf) 1.26 V、最大浪涌电流 375 A、最小工作温度 - 55 C,采用 D-34A 封装。

CD-HD006

Bourns

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 60 V、正向电压(Vf) 0.6 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C。

BU1008A5S-E3/45

Vishay Semiconductors · 封装:BU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 90 A、最小工作温度 - 55 C,采用 BU 封装。

GBLA005-E3/51

Vishay Semiconductors · 封装:GBL

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBL 封装。

GBPC50005W-G

Comchip Technology · 封装:GBPC-W

主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.607065 oz,采用 GBPC-W 封装。

GBLA04-E3/51

Vishay Semiconductors · 封装:GBL

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBL 封装。

GBPC35005-G

Comchip Technology · 封装:GBPC-G

主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.590486 oz,采用 GBPC-G 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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