GBJ2502-04-G
Comchip Technology
主要参数包括单件重量 0.240216 oz。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Comchip Technology
主要参数包括单件重量 0.240216 oz。Comchip Technology
主要参数包括单件重量 0.240216 oz。Comchip Technology
主要参数包括单件重量 0.240216 oz。Comchip Technology · 封装:KBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 KBU-4 封装。Comchip Technology · 封装:KBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 400 A,采用 KBU-4 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:GBJ-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 20 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 240 A,采用 GBJ-4 封装。Comchip Technology · 封装:KBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 400 A,采用 KBU-4 封装。Comchip Technology · 封装:KBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 400 A,采用 KBU-4 封装。Comchip Technology · 封装:$1.11
主要参数包括单件重量 0.240216 oz,采用 $1.11 封装。Comchip Technology · 封装:GBJ-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 220 A,采用 GBJ-4 封装。Comchip Technology · 封装:GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 150 A,采用 GBU-4 封装。Shindengen · 封装:1W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 50 A、最大工作温度 + 150 C,采用 1W 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBJ 封装。Comchip Technology · 封装:GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 150 A,采用 GBU-4 封装。Comchip Technology
Bridge Rectifiers DIODE SMD DFS BRIDGE RECTIFIER 1A 800VComchip Technology
Bridge Rectifiers DIODE SMD DFS BRIDGE RECTIFIER 1A 800VComchip Technology
Bridge Rectifiers VR=800V, IO=0.8AComchip Technology · 封装:DFS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 1.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 DFS-4 封装。Comchip Technology · 封装:DFS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 DFS-4 封装。Comchip Technology · 封装:DFS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 1.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 DFS-4 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。