GBPC5002W-G
Comchip Technology · 封装:GBPC-W
主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.607065 oz,采用 GBPC-W 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Comchip Technology · 封装:GBPC-W
主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.607065 oz,采用 GBPC-W 封装。Comchip Technology
主要参数包括端接方式 通孔安装。Comchip Technology
Bridge Rectifiers DIODE RECT BRIDGE 35A 400VComchip Technology · 封装:GBPC-G
主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.590486 oz,采用 GBPC-G 封装。Comchip Technology · 封装:GBPC-G
主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.590486 oz,采用 GBPC-G 封装。Comchip Technology · 封装:GBPC-G
主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.590486 oz,采用 GBPC-G 封装。Comchip Technology · 封装:GBPC-W
主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.607065 oz,采用 GBPC-W 封装。Comchip Technology · 封装:GBPC-G
主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.590486 oz,采用 GBPC-G 封装。Comchip Technology · 封装:GBPC-W
主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.607065 oz,采用 GBPC-W 封装。Comchip Technology · 封装:BR8-4
主要参数包括端接方式 通孔安装、长度 19.6 mm、宽度 19.6 mm、高度 7.5 mm,采用 BR8-4 封装。Comchip Technology · 封装:KBPC-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 400 A,采用 KBPC-4 封装。Comchip Technology · 封装:GBPC-G
主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.590486 oz,采用 GBPC-G 封装。Comchip Technology
主要参数包括端接方式 通孔安装。Comchip Technology
主要参数包括单件重量 0.240216 oz。Comchip Technology
主要参数包括单件重量 0.240216 oz。Comchip Technology · 封装:KBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 400 A,采用 KBU-4 封装。Comchip Technology · 封装:MP8-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 175 A,采用 MP8-4 封装。IXYS · 封装:ECO-PAC 2
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1400 V、正向电压(Vf) 1.75 V、最大浪涌电流 900 A、最小工作温度 - 40 C,采用 ECO-PAC 2 封装。Diodes Incorporated · 封装:SOPA-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 1.5 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.3 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C,采用 SOPA-4 封装。Bourns
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 60 V、正向电压(Vf) 0.6 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。