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199,570 条型号记录
每页 20 条

KBPC5004W-G

Comchip Technology · 封装：KBPC-W-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 500 A，采用 KBPC-W-4 封装。
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GBPC1502W-G

Comchip Technology · 封装：GBPC-W

主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.607065 oz，采用 GBPC-W 封装。
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GBPC2502-G

Comchip Technology · 封装：GBPC-G

主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.590486 oz，采用 GBPC-G 封装。
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BU1006A5S-E3/45

Vishay Semiconductors · 封装：BU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 90 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。
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KBU10005-G

Comchip Technology · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 KBU-4 封装。
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GBU2508-G

Comchip Technology · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 GBU-4 封装。
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MP1006G-G

Comchip Technology · 封装：MP8-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 MP8-4 封装。
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GBU1501-G

Comchip Technology · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 240 A，采用 GBU-4 封装。
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MP1002G-G

Comchip Technology · 封装：MP8-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 MP8-4 封装。
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CDBHM160L-G

Comchip Technology · 封装：MBS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 60 V、正向电压（Vf） 0.65 V、最大浪涌电流 40 A，采用 MBS-4 封装。
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DF15005ST-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。
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KBU3501-G

Comchip Technology · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 KBU-4 封装。
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DF201S-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。
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DF02S-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。
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DF02ST-HF

Comchip Technology

Bridge Rectifiers DIODE SMD DFS BRIDGE RECTIFIER 1A 200V
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TB4S-G

Comchip Technology · 封装：TBS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A，采用 TBS-4 封装。
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DF04S-HF

Comchip Technology

Bridge Rectifiers DIODE SMD DFS BRIDGE RECTIFIER 1A 400V
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SC35VB80S-G

Comchip Technology · 封装：SCVB-5

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SCVB-5 封装。
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