芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

BR1002SG-G

Comchip Technology · 封装：BR8-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 BR8-4 封装。

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DF1501ST-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。

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GBU4M-G

Comchip Technology

Bridge Rectifiers DIODE BRIDGE 1000V 4A

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DF15005S-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。

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DF08ST-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。

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MB10S-G

Comchip Technology · 封装：MBS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 0.8 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 MBS-4 封装。

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03261

Vicor

主要参数包括正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V。

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MCMA200PD1600SA

IXYS

Bridge Rectifiers Thyristor Module

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VUO190-14NO7

IXYS · 封装：PWS-E-1

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1400 V、正向电压（Vf） 1.43 V、最大浪涌电流 2800 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-E-1 封装。

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VBO50-12NO7

IXYS · 封装：PWS-A

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 750 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-A 封装。

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GBPC1508W-G

Comchip Technology · 封装：GBPC-W

主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.607065 oz，采用 GBPC-W 封装。

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D30JCB100K-7500

Shindengen · 封装：JC-4

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 30 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.9 V、最大浪涌电流 850 A，采用 JC-4 封装。

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GBPC2506-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBPC-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-4 封装。

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GBPC2502W-G

Comchip Technology · 封装：GBPC-W

主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.607065 oz，采用 GBPC-W 封装。

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KBPC1510W-G

Comchip Technology

主要参数包括端接方式通孔安装。

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KBPC1501W-G

Comchip Technology

主要参数包括端接方式通孔安装。

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KBPC1504W-G

Comchip Technology · 封装：KBPC-W-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 KBPC-W-4 封装。

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GBJ2502-06-G

Comchip Technology

主要参数包括单件重量 0.240216 oz。

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GBPC1506W-G

Comchip Technology · 封装：GBPC-W

主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.607065 oz，采用 GBPC-W 封装。

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VUO22-08NO1

IXYS · 封装：V1-A-Pack

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.12 V、最大浪涌电流 100 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 130 C，采用 V1-A-Pack 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。