BR501L-G
Comchip Technology
Bridge Rectifiers VR=100V IAV=50A按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
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Bridge Rectifiers VR=100V IAV=50AComchip Technology · 封装:GBPC-G
主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.590486 oz,采用 GBPC-G 封装。Comchip Technology · 封装:GBPC-G
主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.590486 oz,采用 GBPC-G 封装。Comchip Technology · 封装:GBPC-G
主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.590486 oz,采用 GBPC-G 封装。Shindengen
Bridge Rectifiers 1.5 Amp 800 VoltShindengen
Bridge Rectifiers VRM=80 IFSM=30Comchip Technology
主要参数包括单件重量 0.240216 oz。Comchip Technology
Bridge Rectifiers VR=20V, IO=1AComchip Technology · 封装:TBS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 800 mA、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 0.95 V、最大浪涌电流 30 A,采用 TBS-4 封装。Comchip Technology · 封装:DFS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 DFS-4 封装。Comchip Technology · 封装:GBPC-G
主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.590486 oz,采用 GBPC-G 封装。Comchip Technology · 封装:MBS-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 0.8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 35 A,采用 MBS-4 封装。IXYS · 封装:PWS-E-1
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1800 V、正向电压(Vf) 1.43 V、最大浪涌电流 2800 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C,采用 PWS-E-1 封装。IXYS
Bridge Rectifiers 3 Phase Rectifier Bridge w/ NTCVishay Semiconductors · 封装:KBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C,采用 KBU 封装。Comchip Technology · 封装:GBPC-G
主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.590486 oz,采用 GBPC-G 封装。IXYS · 封装:V1-A-Pack
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1400 V、正向电压(Vf) 1.5 V、最大浪涌电流 600 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C,采用 V1-A-Pack 封装。Comchip Technology · 封装:GBJ-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 350 A,采用 GBJ-4 封装。Shindengen
Bridge Rectifiers 1.0 Amp 800 VoltComchip Technology · 封装:GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 175 A,采用 GBU-4 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。