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分立与功率器件

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199,570 条型号记录
每页 20 条

VUE35-12NO7

IXYS · 封装：ECO-PAC 1

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 2.73 V、最大浪涌电流 90 A、最小工作温度 - 40 C，采用 ECO-PAC 1 封装。
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VBO54-16NO7

IXYS · 封装：ECO-PAC 1

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.46 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 40 C，采用 ECO-PAC 1 封装。
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GBPC1508-G

Comchip Technology · 封装：GBPC-G

主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.590486 oz，采用 GBPC-G 封装。
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KBPC2508W-G

Comchip Technology · 封装：Quick Connect

主要参数包括端接方式 通孔安装，采用 Quick Connect 封装。
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MB6S-G

Comchip Technology · 封装：MBS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 0.8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 MBS-4 封装。
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GBPC3504-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBPC-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-4 封装。
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GBPC5004-G

Comchip Technology · 封装：GBPC-G

主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.590486 oz，采用 GBPC-G 封装。
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GBPC1510-G

Comchip Technology · 封装：GBPC-G

主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.590486 oz，采用 GBPC-G 封装。
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GBJ1010-G

Comchip Technology · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A，采用 GBJ-4 封装。
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GBU404-G

Comchip Technology · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。
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CDBHM1100L-G

Comchip Technology · 封装：MBS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 0.85 V、最大浪涌电流 40 A，采用 MBS-4 封装。
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CD-HD201L

Bourns

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 0.74 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C。
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CD-DF406SL

Bourns

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.86 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C。
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VUO35-08NO7

IXYS · 封装：PWS-A

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 2.2 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-A 封装。
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CD-HD004

Bourns

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 40 V、正向电压（Vf） 0.49 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C。
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