30660
Vicor
主要参数包括正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 600 V、长度 28.8 mm、宽度 28.8 mm、高度 7.87 mm。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录S20VT80-4000
Shindengen
Bridge Rectifiers Bridge DiodeUD8KBA80-7000
Shindengen
Bridge Rectifiers Bridge DiodeRDBF154U-13
Diodes Incorporated · 封装：DBF-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 70 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBF-4 封装。RDBF251-13
Diodes Incorporated · 封装：DBF-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2.5 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 75 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBF-4 封装。S10VTA80-5000
Shindengen
Bridge Rectifiers Bridge DiodeVS-70MT80KPBF
Vishay Semiconductors · 封装：INT-A-PAK
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.55 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 40 C，采用 INT-A-PAK 封装。VUO122-12NO7
IXYS · 封装：ECO-PAC 2
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.75 V、最大浪涌电流 900 A、最小工作温度 - 40 C，采用 ECO-PAC 2 封装。VUO52-08NO1
IXYS · 封装：V1-A-Pack
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.46 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 130 C，采用 V1-A-Pack 封装。VBO88-12NO7
IXYS · 封装：ECO-PAC 2
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.75 V、最大浪涌电流 1400 A、最小工作温度 - 40 C，采用 ECO-PAC 2 封装。VUO98-08NO7
IXYS · 封装：ECO-PAC 2
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 750 A、最小工作温度 - 40 C，采用 ECO-PAC 2 封装。VS-70MT120KPBF
Vishay Semiconductors · 封装：INT-A-PAK
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.55 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 40 C，采用 INT-A-PAK 封装。CD-DF410SL
Bourns
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.86 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C。KBP406G
Diodes Incorporated · 封装：KBP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 130 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBP-4 封装。GBU1508-G
Comchip Technology · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 240 A，采用 GBU-4 封装。KBU3506-G
Comchip Technology · 封装：KBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 KBU-4 封装。VS-110MT100KPBF
Vishay Semiconductors · 封装：INT-A-PAK
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 Screw Terminal、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.4 V、最大浪涌电流 1000 A、最小工作温度 - 40 C，采用 INT-A-PAK 封装。GBPC5004-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 500 A，采用 GBPC-4 封装。GBLA06-E3/51
Vishay Semiconductors · 封装：GBL
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。MP1001-G
Comchip Technology
Bridge Rectifiers RECT SILICON 100V 10A型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。