MCMA200P1600SA
IXYS · 封装:Si
采用 Si 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
IXYS · 封装:Si
采用 Si 封装。Diodes Incorporated · 封装:DBF-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 3 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.3 V、最大浪涌电流 100 A,采用 DBF-4 封装。Diodes Incorporated · 封装:DBF-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 2.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.3 V、最大浪涌电流 75 A、最小工作温度 - 55 C,采用 DBF-4 封装。IXYS · 封装:FO-B-B
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.7 V、最大浪涌电流 550 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C,采用 FO-B-B 封装。Shindengen
Bridge Rectifiers Bridge DiodeShindengen
Bridge Rectifiers Bridge-Diode Low VFSemtech
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 1.5 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V。Shindengen
Bridge Rectifiers VRM=600 IFSM=120Diodes Incorporated · 封装:SOPA-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 1.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.3 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C,采用 SOPA-4 封装。Diodes Incorporated · 封装:DBF-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 1.5 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.3 V、最大浪涌电流 70 A、最小工作温度 - 55 C,采用 DBF-4 封装。Diodes Incorporated · 封装:DBF-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 1.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.3 V、最大浪涌电流 70 A、最小工作温度 - 55 C,采用 DBF-4 封装。Diodes Incorporated · 封装:DBF-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 1.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.3 V、最大浪涌电流 70 A、最小工作温度 - 55 C,采用 DBF-4 封装。Diodes Incorporated · 封装:SOPA-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.3 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C,采用 SOPA-4 封装。Diodes Incorporated · 封装:SOPA-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.3 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C,采用 SOPA-4 封装。Diodes Incorporated · 封装:KBP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 130 A、最小工作温度 - 55 C,采用 KBP-4 封装。Shindengen
Bridge Rectifiers 600V 30AShindengen
Bridge Rectifiers Bridge DiodeDiodes Incorporated · 封装:DBF-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 2.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.3 V、最大浪涌电流 75 A、最小工作温度 - 55 C,采用 DBF-4 封装。IXYS · 封装:ECO-PAC 2
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1600 V、正向电压(Vf) 1.6 V、最大浪涌电流 750 A、最小工作温度 - 40 C,采用 ECO-PAC 2 封装。Diodes Incorporated · 封装:DBF-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 3 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.3 V、最大浪涌电流 100 A,采用 DBF-4 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。