芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

DF1504S-G

Comchip Technology · 封装：DFS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。

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RS2004M

Rectron · 封装：RS-20M

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 RS-20M 封装。

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MP1510

Rectron · 封装：MP-15

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 MP-15 封装。

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CBRLDSH2-100 TR13

Central Semiconductor · 封装：LPDIP

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 770 mV，采用 LPDIP 封装。

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CBR1-D040S TR13

Central Semiconductor · 封装：SMDIP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMDIP-4 封装。

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CBRHD-10 TR13

Central Semiconductor · 封装：HDDIP

主要参数包括正向电流（If） 400 mA、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、反向电流（Ir） 5 uA、反向电压（Vr） 1000 V、型号别名 CBRHD-10 PBFREE TR13，采用 HDDIP 封装。

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KBU35005-G

Comchip Technology · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBU-4 封装。

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VUO160-18NO7

IXYS · 封装：PWS-E-5

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.8 kV、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 1.8 kA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-E-5 封装。

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VVZB135-16IOXT

IXYS · 封装：E2-Pack

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.26 V、最大浪涌电流 700 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 E2-Pack 封装。

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VUC36-16GO2

IXYS · 封装：Kamm-Modul-8

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.4 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 Kamm-Modul-8 封装。

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W08L

Rectron · 封装：RC-2

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 RC-2 封装。

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GBU25005-G

Comchip Technology · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。

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SC35VB160-G

Comchip Technology · 封装：SCVB-5

主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SCVB-5 封装。

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GBJ2510-G

Comchip Technology · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 GBJ-4 封装。

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KBP304G

Diodes Incorporated · 封装：KBP-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 90 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBP-4 封装。

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KBP306G

Diodes Incorporated · 封装：KBP-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 90 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBP-4 封装。

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KBP208G-BP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A。

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LL25XB60-7000

Shindengen · 封装：5S

主要参数包括端接方式通孔安装，采用 5S 封装。

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LN25XB60-7000

Shindengen · 封装：5S

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A、最大工作温度 + 150 C，采用 5S 封装。

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GBJ1010-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBJ 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。