GBL08 D2G
Taiwan Semiconductor · 封装:GBL-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBL-4 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Taiwan Semiconductor · 封装:GBL-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBL-4 封装。Taiwan Semiconductor · 封装:GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C,采用 GBU-4 封装。Taiwan Semiconductor · 封装:GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 200 A,采用 GBU-4 封装。Taiwan Semiconductor · 封装:KBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C,采用 KBU-4 封装。Taiwan Semiconductor · 封装:ABS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 1.5 A、峰值反向电压 600 V、最大浪涌电流 40 A、长度 4.1 mm,采用 ABS 封装。Rectron · 封装:WOM-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 1.5 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 50 A,采用 WOM-4 封装。Taiwan Semiconductor · 封装:GBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 60 A,采用 GBL-4 封装。Taiwan Semiconductor · 封装:TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C,采用 TS-6P-4 封装。Rectron · 封装:RS-2L
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 60 A,采用 RS-2L 封装。Rectron · 封装:RS-8
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.2 V、最大浪涌电流 250 A,采用 RS-8 封装。Rectron · 封装:RC-2
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 50 A,采用 RC-2 封装。Rectron · 封装:BR-6
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 125 A,采用 BR-6 封装。Shindengen · 封装:FASTON S-25VB
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 400 A、最大工作温度 + 150 C,采用 FASTON S-25VB 封装。Rectron · 封装:RC-2
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 50 A,采用 RC-2 封装。Rectron · 封装:RS-8
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.2 V、最大浪涌电流 250 A,采用 RS-8 封装。Rectron · 封装:RS-2L
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 60 A,采用 RS-2L 封装。Rectron · 封装:RS-8
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.2 V、最大浪涌电流 250 A,采用 RS-8 封装。Rectron · 封装:MP-25W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 300 A,采用 MP-25W 封装。Comchip Technology · 封装:DFS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 1.5 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V,采用 DFS-4 封装。Comchip Technology
Bridge Rectifiers VR=400V, IO=0.8A型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。