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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

VS-2KBB80

Vishay Semiconductors · 封装：D-37

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 52 A、最小工作温度 - 40 C，采用 D-37 封装。
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VBO160-08NO7

IXYS · 封装：PWS-E-1

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.43 V、最大浪涌电流 2800 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-E-1 封装。
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VS-90MT120KPBF

Vishay Semiconductors · 封装：INT-A-PAK

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 810 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 INT-A-PAK 封装。
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RDBF254-13

Diodes Incorporated · 封装：DBF-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2.5 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 75 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBF-4 封装。
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VBO13-16AO2

IXYS · 封装：FO-A

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.8 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 40 C，采用 FO-A 封装。
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DBLS157G-T RDG

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。
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KBL407G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBL-3

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBL-3 封装。
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GBU407 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
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GBU1007 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
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VBO25-16NO2

IXYS · 封装：FO-A

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.36 V、最大浪涌电流 370 A、最小工作温度 - 40 C，采用 FO-A 封装。
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VS-26MB100A

Vishay Semiconductors · 封装：D-34

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.11 V、最大浪涌电流 420 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-34 封装。
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GBPC1506W T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-W-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W-4 封装。
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GBU806 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
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KBU606G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 KBU-4 封装。
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GBPC5006 T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40-4 封装。
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GBU1006 C2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
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KBU404G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 KBU-4 封装。
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