VUO55-16NO7
IXYS · 封装：PWS-B-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 0.92 V、最大浪涌电流 750 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-B-5 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录VUO62-08NO7
IXYS · 封装：PWS-D
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.8 V、最大浪涌电流 550 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-D 封装。SDB103-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SDB-1-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SDB-1-4 封装。VUO35-18NO7
IXYS · 封装：PWS-A
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1800 V、正向电压（Vf） 2.2 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-A 封装。S1ZB60-7102
Shindengen · 封装：1Z
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 30 A、最大工作温度 + 150 C，采用 1Z 封装。GBU6005
Diodes Incorporated · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。VS-2KBB100
Vishay Semiconductors · 封装：D-37
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 52 A、最小工作温度 - 40 C，采用 D-37 封装。VBO40-16NO6
IXYS · 封装：SOT-227B
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 40 C，采用 SOT-227B 封装。VUO105-16NO7
IXYS · 封装：PWS-C
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 1500 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-C 封装。S1WB(A)80-7062
Shindengen · 封装：1W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、最大工作温度 + 150 C，采用 1W 封装。VUO60-12NO3
IXYS · 封装：FO-F-B-7
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 0.96 V、最大浪涌电流 600 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 FO-F-B-7 封装。S1ZB80-7101
Shindengen · 封装：1Z
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 30 A、最大工作温度 + 150 C，采用 1Z 封装。W01G-G
Comchip Technology · 封装：WOB-4
主要参数包括端接方式 通孔安装，采用 WOB-4 封装。RABF24-13
Diodes Incorporated · 封装：SOPA-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SOPA-4 封装。MCMA260PD1600YB
IXYS
Bridge Rectifiers Thyristor/Diode ModuleVS-KBPC608PBF
Vishay Semiconductors · 封装：D-72
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 137 A，采用 D-72 封装。VBO68-12NO7
IXYS · 封装：ECO-PAC 1
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.5 V、最大浪涌电流 530 A、最小工作温度 - 40 C，采用 ECO-PAC 1 封装。VUO192-16NO7
IXYS
主要参数包括单件重量 8 oz。VBO36-16NO8
IXYS · 封装：FO-B-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 0.93 V、最大浪涌电流 550 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 FO-B-4 封装。RABF28-13
Diodes Incorporated · 封装：SOPA-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SOPA-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。