FUE30-12N1
IXYS · 封装：i4-Pac-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 90 A、最小工作温度 - 55 C，采用 i4-Pac-5 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录VUO110-12NO7
IXYS · 封装：PWS-E-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、正向电流（If） 125 A、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 1.04 V、最大浪涌电流 1.2 kA、最小工作温度 - 40 C，采用 PWS-E-5 封装。MCMA120UJ1800ED
IXYS · 封装：E2-Pak-18
主要参数包括端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、单件重量 3.174657 oz，采用 E2-Pak-18 封装。VUO80-16NO1
IXYS · 封装：V1-A-Pack-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.06 V、最大浪涌电流 600 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 V1-A-Pack-5 封装。VS-GBPC2506W
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-W 封装。GBPC3510-G
Comchip Technology · 封装：GBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBPC-4 封装。VS-GBPC3510W
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-W 封装。VGB0124AY7A
IXYS · 封装：Module
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1400 V、最大浪涌电流 60 A、长度 46 mm、宽度 25 mm，采用 Module 封装。KBP408G
Diodes Incorporated · 封装：KBP-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 130 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBP-4 封装。VBO40-12NO6
IXYS · 封装：SOT-227B-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 1.07 V、最大浪涌电流 320 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-227B-4 封装。MSB12M-13
Diodes Incorporated
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 45 A。KBU1006-G
Comchip Technology · 封装：KBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 KBU-4 封装。GUO40-08NO1
IXYS
Bridge Rectifiers Standard Rectifier BridgeVS-36MB20A
Vishay Semiconductors · 封装：D-34
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.14 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D-34 封装。GBJ1502-F
Diodes Incorporated · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。D20XB80-7000
Shindengen · 封装：5S
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 240 A、最大工作温度 + 150 C，采用 5S 封装。KBU1004-G
Comchip Technology · 封装：KBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 KBU-4 封装。TBS22M-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TBS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2.2 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 90 A，采用 TBS 封装。DF2005S-G
Comchip Technology · 封装：DFS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 DFS-4 封装。VUO36-14NO8
IXYS · 封装：FO-B-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.4 kV、正向电压（Vf） 0.93 V、最大浪涌电流 550 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 FO-B-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。