KBJ4005G
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJ 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MD4S-W
Rectron · 封装：MD-S
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 30 A，采用 MD-S 封装。MP158
Rectron · 封装：MP-15
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 MP-15 封装。679-3
Microchip / Microsemi
Bridge Rectifiers Modules (MM)RS1503M
Rectron · 封装：RS-15M
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 250 A，采用 RS-15M 封装。RS804M
Rectron · 封装：RS-8M
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 200 A，采用 RS-8M 封装。RS3506M
Rectron · 封装：RS-35M
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 RS-35M 封装。MD7S
Rectron
Bridge Rectifiers MD-S,MiniDIp,0.5A 1000V,Bridge,SM,GPRS801M
Rectron · 封装：RS-8M
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 200 A，采用 RS-8M 封装。MD7S-W
Rectron · 封装：MD-S
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 30 A，采用 MD-S 封装。MP152
Rectron · 封装：MP-15
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 MP-15 封装。MP156W
Rectron · 封装：MP-15W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 MP-15W 封装。FUO50-16N
IXYS · 封装：i4-Pac-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.04 V、最大浪涌电流 270 A、最小工作温度 - 55 C，采用 i4-Pac-5 封装。S30VTA160-5000
Shindengen
Bridge Rectifiers Bridge DiodeVUO62-12NO7
IXYS · 封装：PWS-D-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 0.96 V、最大浪涌电流 550 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-D-5 封装。VUO35-12NO7
IXYS · 封装：PWS-A-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 1.01 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-A-5 封装。GUO40-16NO1
IXYS · 封装：GUFP-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 0.92 V、最大浪涌电流 370 A、最小工作温度 - 40 C，采用 GUFP-5 封装。GUO40-12NO1
IXYS · 封装：GUFP-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 0.92 V、最大浪涌电流 370 A、最小工作温度 - 40 C，采用 GUFP-5 封装。VS-GBPC3510A
Vishay Semiconductors · 封装：GBPC-A
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 500 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-A 封装。VUI72-16NOXT
IXYS · 封装：V1-A-8
主要参数包括端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、单件重量 1.305137 oz，采用 V1-A-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。