GBU4G
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录KBJ2504G
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJ 封装。ABS10
Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4
主要参数包括单件重量 0.004233 oz，采用 ABS-4 封装。KBPC35005T
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBPC-T/W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 KBPC-T/W 封装。DB155G
GeneSiC Semiconductor · 封装：DB
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DB 封装。KBPC1508T
GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800 V - 15 AKBL601G
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBL
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 180 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBL 封装。TS10P04G C2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。HDBLS105G RD
Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。CBR1-D040
Central Semiconductor · 封装：DIP
主要参数包括正向电流（If） 1 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、反向电流（Ir） 10 uA、反向电压（Vr） 400 V、型号别名 CBR1-D040 PBFREE，采用 DIP 封装。TS6P05G D2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。KBU10005
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU 封装。DBL101G C1
Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 DBL-4 封装。TS6P02G C2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS-6P-4 封装。DBL201G C1
Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。DB153G
GeneSiC Semiconductor · 封装：DB
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DB 封装。KBL602G
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBL
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 180 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBL 封装。TS6P04G D2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS6P04G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS6P-4
采用 TS6P-4 封装。KBJ25005G
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJ 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。