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199,570 条型号记录
每页 20 条

SCBA4

Semtech

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A。
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SCBA05F

Semtech

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A。
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CD-MBL208S

Bourns

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C。
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BU15085S-E3/45

Vishay Semiconductors · 封装：BU

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。
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SDB154-TP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A。
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VS-40MT160PAPBF

Vishay Semiconductors · 封装：MTP

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1600 V、正向电压（Vf） 1.45 V、最大浪涌电流 280 A、最小工作温度 - 40 C，采用 MTP 封装。
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B4M-E3/45

Vishay Semiconductors · 封装：MBM

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 MBM 封装。
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DFL1508S-E3/45

Vishay Semiconductors · 封装：DFS

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DFS 封装。
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GSIB6A40-E3/45

Vishay Semiconductors · 封装：GSIB-5S

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GSIB-5S 封装。
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BU12065S-M3/45

Vishay Semiconductors

主要参数包括端接方式 通孔安装。
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CBRHD-02 TR13

Central Semiconductor · 封装：HDDIP

主要参数包括正向电流（If） 400 mA、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、反向电流（Ir） 5 uA、反向电压（Vr） 200 V、型号别名 CBRHD-02 PBFREE TR13，采用 HDDIP 封装。
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TS20P06G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 TS-6P-4 封装。
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CBR1-L040M

Central Semiconductor · 封装：CASE B-M

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 CASE B-M 封装。
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KBPC1510T

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBPC-TW-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBPC-TW-4 封装。
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BR101

GeneSiC Semiconductor · 封装：BR-10

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 65 C，采用 BR-10 封装。
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DBL157G C1

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。
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GBU6D

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
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