DBLS209G RDG
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 2A,1400V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录GBPC5004 T0
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40-4 封装。GBPC3504W T0
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-W-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W-4 封装。GBPC2510 T0
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-4 封装。GBPC2504 T0
Taiwan Semiconductor · 封装：29 mm x 29 mm x 11.23 mm
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 29 mm x 29 mm x 11.23 mm 封装。GBPC3510W T0
Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-W-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W-4 封装。TS4B07G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。GBL10
Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4
主要参数包括单件重量 0.070548 oz，采用 GBL-4 封装。DB107S
Rectron · 封装：DBS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 DBS 封装。SC3BH6
Semtech
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A。680-6
Microchip / Microsemi
Bridge Rectifiers Modules (MM)VS-20MT120UFP
Vishay Semiconductors · 封装：MTP
主要参数包括端接方式 通孔安装、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、长度 63.5 mm、宽度 33 mm、高度 16 mm，采用 MTP 封装。VS-100MT060WDF
Vishay Semiconductors
主要参数包括单件重量 0.317466 oz。DB104
Rectron · 封装：DB-1
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 DB-1 封装。RS101
Rectron · 封装：RS-1
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 RS-1 封装。MP352
Rectron · 封装：MP-35
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 MP-35 封装。RS605M
Rectron · 封装：RS-6M
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 RS-6M 封装。RS2001M
Rectron · 封装：RS-20M
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 RS-20M 封装。RS603M
Rectron · 封装：RS-6M
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 RS-6M 封装。BR254
Rectron · 封装：BR-25
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BR-25 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。