芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

GBL01

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBL

主要参数包括端接方式通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。

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GBU407 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。

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KBL401G

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBL

主要参数包括端接方式通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBL 封装。

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DBLS205G RDG

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 2A,600V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.

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DB154G

GeneSiC Semiconductor · 封装：DB

主要参数包括端接方式通孔安装、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DB 封装。

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MBS8 RCG

Taiwan Semiconductor · 封装：MBS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 MBS-4 封装。

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DBL107G C1

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DBL-4 封装。

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GBPC5010 T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC40-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40-4 封装。

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GBU406 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBU-4 封装。

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CBRLDSH2-40 TR13

Central Semiconductor · 封装：LPDIP

主要参数包括正向电流（If） 2 A、正向电压（Vf） 500 mV、最大浪涌电流 50 A、反向电流（Ir） 100 uA、反向电压（Vr） 40 V、型号别名 CBRLDSH2-40 PBFREE TR13，采用 LPDIP 封装。

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DBLS105G RDG

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 1A,600V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.

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MBS10 RCG

Taiwan Semiconductor · 封装：MBS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 800 mA、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 35 A，采用 MBS-4 封装。

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GBPC2510W T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-W-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-W-4 封装。

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GBL10 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBL-4 封装。

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GBPC3510 T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-4 封装。

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KBU1007G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 KBU-4 封装。

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KBU403G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 KBU-4 封装。

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KBU603G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 KBU-4 封装。

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YBS2207G RAG

Taiwan Semiconductor · 封装：YBS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2.2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.91 V、最大浪涌电流 90 A，采用 YBS-4 封装。

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GBPC2502 T0

Taiwan Semiconductor · 封装：GBPC-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-4 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。